Taiwán.- Científicos de la National Tsing Hua University de Taiwan y del Karlsruhe Institute of Technology en Alemania usaron el ADN del esperma del salmón para construir un dispositivo de almacenamiento de datos del tipo WORM (write-once-read-many); la investigación ha sido publicada en la revista Applied Physics Letters.
Los datos son escritos en el dispositivos con un láser y son leído electrónicamente.
El ADN es un material increíble debido a que codifica las proteínas que impulsan los procesos bioquímicos del organismo y la forma de las características individuales. Pero ahora hay mucho más que eso; los investigadores han desarrollado un biopolímero a partir del ADN y han usado el material en un dispositivo.
En este caso, el ADN proviene de los testículos del salmón chum (Oncorhynchus keta), el ADN del esperma es barato. “Este es ampliamente usado como una fuente de ADN barato” dijo Yu-Chueh Hung, un profesor de ingeniería electrónica en la National Tsing Hua University. “El esperma en el salmón es producido en grandes cantidades y contiene altas cantidades de ADN”.
Los materiales compuestos que incluye el ADN pueden ser una solución. Esta es relativamente simple, la química líquida de bajo costo. En comparación con los chips de memoria y los discos duros, los cuales son elaborados de materiales cristalinos de alta calidad en instalaciones costosas, el polímero de esperma de salmón es más barato y es un material bioamigable disponible en grandes cantidades, destacó Hung. Este también es biodegradable.
El uso del ADN en la electrónica es que parece un metal. El ADN interacciona muy bien con nanopartículas metálicas. Estas partículas ultra-pequeñas de metal son abundantemente útiles, ellos pueden cambiar las propiedades ópticas y eléctricas de los materiales. El ADN también puede ser una buena herramienta para la formación de nanopartículas metálicas.
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Referencia:
Yu-Chueh Hung, Wei-Ting Hsu, Ting-Yu Lin, and Ljiljana Fru. Photoinduced write-once read-many-times memory device based on DNA biopolymer nanocomposite. Appl. Phys. Lett. 99, 253301 (2011); doi: 10.1063/1.367115
